本課程以化合物半導體薄膜磊晶技術為主題。內容為基本磊晶技術、特性量測技術的介紹
以及針對磊晶材料的專題研讀。基本概念介紹由授課教師講演，包括磊晶基本結構、結
構、電性與光學特性與量測技術的介紹。專題研讀的部分選取重要論文，逐篇由修課同學
先行在課堂上輪流作初步講解，再由授課教師講評論文實驗分析的結構並作結語。論文的
部分包括如何辨識strained/relaxed layer、relaxed model、成分混亂的晶膜特徵、第二
型量子井的特性、特殊缺陷的特性、光學分析方法以及量子點。